申请/专利权人：中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司

申请日：2019-07-25

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114424348B

主分类号：H01L31/0296

分类号：H01L31/0296;H01L31/065;H01L31/18;H01L31/0224

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.06.24#实质审查的生效;2022.04.29#公开

摘要：本发明提出了一种用于形成双梯度CdSeTe薄膜的方法。所述方法包括：提供基础衬底；形成第一CdSewTe1‑w层，所述第一CdSewTe1‑w层具有处于其中的第一量w1的硒；形成第二CdSewTe1‑w层，所述第二CdSewTe1‑w层具有处于其中的第二量w2的硒；以及形成第三CdSewTe1‑w层，所述第三CdSewTe1‑w层具有处于其中的第三量w3的硒。所述第二量w2在介于0.25与0.4之间的范围内，而所述量w1和w3中的每一个均在0到1的范围内。根据本发明，所述第一CdSewTe1‑w层和所述第三CdSewTe1‑w层中的能隙等于或高于1.45eV，并且所述第二CdSewTe1‑w层中的能隙在介于1.38eV与1.45eV之间的范围内并且小于所述第一CdSewTe1‑w层和所述第三CdSewTe1‑w层的所述能隙。

主权项：1.一种用于形成双梯度CdSeTe薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：a提供基础衬底，b在所述基础衬底上沉积形成第一CdSewTe1-w层并退火，所述第一CdSewTe1-w层具有第一厚度d1和处于其中的第一量w1的硒，c在所述第一CdSewTe1-w层上沉积形成第二CdSewTe1-w层并退火，所述第二CdSewTe1-w层具有第二厚度d2和处于其中的第二量w2的硒，其中所述第二量w2在介于0.25与0.4之间的范围内，以及d在所述第二CdSewTe1-w层上沉积形成第三CdSewTe1-w层并退火，所述第三CdSewTe1-w层具有第三厚度d3和处于其中的第三量w3的硒，其中所述第一CdSewTe1-w层中的能隙的最大值和所述第三CdSewTe1-w层中的能隙的最大值等于或高于1.45eV，并且所述第二CdSewTe1-w层中的能隙在介于1.38eV与1.45eV之间的范围内并且小于所述第一CdSewTe1-w层中的所述能隙的所述最大值并且小于所述第三CdSewTe1-w层中的所述能隙的所述最大值；至少所述第二CdSewTe1-w层是使用镉、硒和碲的共沉积以及在含有气态硒的气氛下对与所述第二CdSewTe1-w层对应的沉积层进行退火而形成的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司 用于产生双梯度CdSeTe薄膜结构的方法

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