申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请日：2019-09-30

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN112582263B

主分类号：H01L21/3213

分类号：H01L21/3213;H01J37/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.04.16#实质审查的生效;2021.03.30#公开

摘要：一种点状残留改善方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域,尤其涉及一种点状残留改善方法。提供了一种操作方便，可有效避免氧化层或颗粒影响的晶片刻蚀残留方法。本发明中晶圆传送到位后，Gap调整稳定至0.9cm；腔体内压力保持在650mt，通过200sccm的CF4，250W功率运行BT步35s，刻蚀Wafer表面自然氧化层；在保证BTStep刻蚀速率的前提下，调整BTStepGap（穿通刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）与MEStepGap（主刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）一致，避免上电极往下运动过程中在Wafer（硅片）表面引入缺陷，从而改善Poly（多晶硅）点状残留，提高产品良率。

主权项：1.一种点状残留改善方法，其特征在于，包括以下步骤：1）、晶圆在Gap初始状态下传入反应腔；位于上电极和下电极之间；2）、预刻蚀：晶圆传送到位后，Gap调整稳定至0.9cm；腔体内压力保持在650mt，通过200sccm的CF4，250W功率运行BT步35s，刻蚀Wafer表面自然氧化层；3）、预刻蚀结束后，运行主刻蚀和过刻蚀，完成多晶硅的刻蚀；4）、步骤3）完成后，Gap恢复至初始状态，传出Wafer，完成作业；BT步切换至ME步时Gap不再运动，避免引入缺陷或腔体漏入杂质气体的风险，造成刻蚀的缺陷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种点状残留改善方法

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