申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所

申请日：2020-09-11

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN112038287B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/48

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2020.12.22#实质审查的生效;2020.12.04#公开

摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种改善GaAs接地孔内金属应力的通孔及制备方法，该方法包括：在正面工艺制备完成的晶圆背面的预设区域进行通孔刻蚀，刻蚀终止在第二外延层上；对刻蚀的通孔内的第一外延层和第二外延层进行横向腐蚀；对通孔孔底区域对应的第二外延层进行刻蚀，形成台阶状形貌，刻蚀终止在底层金属上；在晶圆背面和通孔内溅射种子层，在种子层上制备电镀层，腐蚀掉晶圆背面的电镀层和种子层。通过设计并制作通孔形貌，减缓金属镀层在孔内的应力集中点分布，解决了由于金属镀层应力集中导致GaAs开裂和电镀层脱落的问题，且改善GaAs接地孔内金属应力的通孔制备方法的操作简单、可重复性好，能够满足批产的要求。

主权项：1.一种改善GaAs接地孔内金属应力的通孔制备方法，其特征在于，包括：在正面工艺制备完成的晶圆背面的预设区域采用干法刻蚀方式进行通孔刻蚀，刻蚀终止在第二外延层上；所述正面工艺制备完成的晶圆依次包括GaAs衬底、第一外延层、第二外延层、底层金属和保护层；对刻蚀的通孔内的第一外延层和第二外延层采用湿法腐蚀方式进行横向腐蚀；对通孔孔底区域对应的第二外延层进行刻蚀，形成台阶状形貌，刻蚀终止在底层金属上；在晶圆背面和通孔内溅射种子层，在种子层上制备电镀层，腐蚀掉晶圆背面的电镀层和种子层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 改善GaAs接地孔内金属应力的通孔及制备方法

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