申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-04-17

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113113417B

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.07.30#实质审查的生效;2021.07.13#公开

摘要：一种存储器件包括第一衬底、第一存储阵列、第二衬底和至少一个第一垂直晶体管。第一存储阵列设置在第一衬底上。第一存储阵列包括至少一个第一字线结构。第一存储阵列在垂直方向上设置在第一衬底与第二衬底之间。第一垂直晶体管与第一字线结构电连接。至少一个第一垂直晶体管的至少一部分设置在第二衬底中。

主权项：1.一种存储器件，包括：第一衬底；第一存储阵列，所述第一存储阵列设置在所述第一衬底上，其中，所述第一存储阵列包括至少一个第一字线结构；第二衬底；其中，所述第一存储阵列在垂直方向上设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间；至少一个第一垂直晶体管，所述至少一个第一垂直晶体管设置在所述第二衬底中，其中，所述至少一个第一垂直晶体管包括第一半导体沟道结构，所述第一半导体沟道结构在所述垂直方向上穿透所述第二衬底并且包括位于两个相对端部处的两个掺杂区，所述两个掺杂区分别作为对应的第一垂直晶体管的源电极和漏电极；以及字线接触结构，所述字线接触结构设置在所述至少一个第一垂直晶体管与所述至少一个第一字线结构之间并且接触对应的所述第一半导体沟道结构的两个掺杂区中的一个，其中，所述至少一个第一字线结构经由所述字线接触结构与所述至少一个第一垂直晶体管电连接，其中，具有设置在其上的所述第一存储阵列和所述字线接触结构的所述第一衬底与具有设置在其中的所述至少一个第一垂直晶体管的所述第二衬底是通过直接键合方法而彼此组合的。

全文数据：

权利要求：

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