申请/专利权人：NANO科技(北京)有限公司

申请日：2022-01-16

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114400236B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.05.13#实质审查的生效;2022.04.26#公开

摘要：本发明提供一种集成硅光调制器和锗硅探测器的硅光集成芯片及制备方法，利用刻蚀工艺形成的凹槽来定义氮化硅波导的位置和尺寸，之后通过化学机械抛光将多余的氮化硅移除，凹槽内的氮化硅形成光波导，因此本发明氮化硅波导的制备能够与包含硅光调制器和锗硅探测器的硅光集成芯片制作工艺相兼容，并且可以灵活控制氮化硅波导和硅波导之间的距离，从而实现硅波导与氮化硅波导之间可控的耦合强度和耦合损耗；利用底层的硅波导和上层的氮化硅波导，可以组合设计多种性能更好的无源器件，比如更低耦合损耗的耦合器、更低传输损耗的波导等等。

主权项：1.一种集成硅光调制器和锗硅探测器的硅光集成芯片，其特征在于，包括：SOI晶圆以及沉积在所述SOI晶圆上的层间介质，所述层间介质上刻蚀有凹槽，所述凹槽内沉积有氮化硅波导；所述SOI晶圆上还设置有硅光调制器的PN结与硅波导以及锗硅探测器的锗层，所述层间介质覆盖于所述硅光调制器的PN结与硅波导以及所述锗硅探测器的锗层；所述凹槽位于所述硅光调制器的硅波导的上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： NANO科技(北京)有限公司 集成硅光调制器和锗硅探测器的硅光集成芯片及制备方法

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