申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

申请日：2020-05-12

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN111988039B

主分类号：H03M1/34

分类号：H03M1/34;H03H7/01

优先权：["20190524 US 62/852,437","20190703 US 16/502,379"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.11.05#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本公开涉及具有内部输入偏移电压的比较器系统。一种比较器系统的实施方式可包括第一晶体管，该第一晶体管包括栅极，其中该栅极被配置为耦接到电阻器‑电容器RC噪声滤波器，该RC噪声滤波器耦接到电阻器。第一晶体管可包括在PMOS差分对中。第一偏移电阻器可耦接到第一晶体管的源极和包括在PMOS差分对中的第二晶体管的源极。第二偏移电阻器可耦接在第一晶体管和第二晶体管之间。第一晶体管的第一背栅偏置电压和第二晶体管的第二背栅偏置电压之间的电压差可指示通过电阻器的电流值。

主权项：1.一种比较器系统，所述比较器系统包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括栅极，所述栅极被配置为耦接到电阻器-电容器RC噪声滤波器，所述RC噪声滤波器耦接到电阻器，所述第一晶体管包括在PMOS差分对中；第一偏移电阻器，所述第一偏移电阻器耦接到所述第一晶体管的源极和包括在所述PMOS差分对中的第二晶体管的源极；和第二偏移电阻器，所述第二偏移电阻器耦接在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间；其中所述第一晶体管的第一背栅偏置电压和所述第二晶体管的第二背栅偏置电压之间的电压差指示通过所述电阻器的电流值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 具有内部输入偏移电压的比较器系统

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