申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司
申请日:2020-11-20
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN112331561B
主分类号:H01L21/306
分类号:H01L21/306;H01L27/02
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.26#授权;2021.02.26#实质审查的生效;2021.02.05#公开
摘要:本发明公开了一种提高化学机械研磨良率的方法,包括步骤:步骤一、对芯片版图进行网格划分形成多个版图窗格,提取版图窗格内的特征参数;步骤二、分析版图窗格内的特征参数和化学机械研磨后在晶圆上对应的晶圆窗格的区域内平均表面高度的关系并选出最相关特征参数;步骤三、在芯片版图上,根据最相关特征参数,找出化学机械研磨后的热点区域;步骤四、在芯片版图上对热点区域的版图图形进行修改,以消除热点。本发明能降低提高化学机械研磨良率所需要的工艺复杂度和成本。
主权项:1.一种提高化学机械研磨良率的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、对芯片版图进行网格划分形成多个版图窗格,提取各所述版图窗格内的多个特征参数;步骤二、分析所述版图窗格内的特征参数和化学机械研磨后在晶圆上对应的晶圆窗格的区域内平均表面高度的关系,并从多个所述特征参数中得到最相关特征参数;步骤三、在所述芯片版图上,根据所述最相关特征参数,找出所述化学机械研磨后的热点区域;所述芯片版图上包括多层版图图形层,根据多层叠加的所述版图图形层对所述化学机械研磨的叠层效应来找出所述热点区域;步骤四、在所述芯片版图上对所述热点区域的版图图形进行修改,以消除热点;步骤四中,修改方法包括:降低当前层版图窗格内的等效密度或者增加和所述当前层版图窗格相同位置的下层版图窗格内的所述等效密度。
全文数据:
权利要求:
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