申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117594454B

主分类号：H01L21/50

分类号：H01L21/50;H01L23/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要：本申请涉及一种晶圆键合方法及晶圆键合结构，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；分别于所述第一晶圆上和所述第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层；分别对所述第一氧化层和所述第二氧化层进行脱水处理；分别于脱水处理后的所述第一氧化层上、所述第二氧化层上旋涂金属氧化物盐溶液对应形成第一键合界面和第二键合界面；将所述第一键合界面和所述第二键合界面对准后键合，以形成晶圆键合结构。采用申请的晶圆键合方法，可通过提高氧化层的致密性，提高键合质量，同时避免退火过程中水分子和氧化层的孔隙结合产生气泡的现象发生，可提高产品良率。

主权项：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；分别于所述第一晶圆上和所述第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层；分别对所述第一氧化层和所述第二氧化层进行脱水处理；分别于脱水处理后的所述第一氧化层上、所述第二氧化层上旋涂金属氧化物盐溶液对应形成第一键合界面和第二键合界面；将所述第一键合界面和所述第二键合界面对准后键合，以形成晶圆键合结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 晶圆键合方法及晶圆键合结构

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