申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司

申请日：2024-02-08

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117727696B

主分类号：H01L21/8249

分类号：H01L21/8249;H01L23/552;H01L27/07

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种D触发器的制备方法及D触发器，涉及电子器件技术领域。通过优化埋层注入、改进埋层退火工艺和隔离扩散工艺，能够更准确的控制结深与横向扩散，通过工艺改进改善薄氧化层的质量，增加多晶硅、氮化硅工艺做为保护层与平坦化层提高抗辐射能力，提高MOS管栅氧质量提高产品抗电荷能力，形成金属钛钨合金层和铝层，Ti‑W高阻挡防止Al金属的电迁移，显著提高16位D触发器的抗辐照能力。

主权项：1.一种D触发器的制备方法，其特征在于，包括：对P型抛光片依次进行以下工序：埋层注入、外延制做、形成隔离层、形成集电极、形成N阱、形成P阱、第一快速退火、氮化硅剥离、薄氧化、去除薄氧化、栅氧化、形成多晶硅、形成NMOS管、形成PMOS管、去除氮化硅、第二快速退火、形成发射区、形成基区、形成电阻、接触孔光刻、金属互联线沉积、金属光刻、形成硼磷硅玻璃保护层和合金化处理；其中，在所述金属互联线沉积的过程包括：先对硅片的正面先溅射钛钨合金形成Ti-W合金层，再蒸发金属铝形成铝层；所述Ti-W合金层的厚度为900Å-1100Å，所述铝层的厚度为39000Å-41000Å；以质量分数计，所述钛钨合金中含有钛88%-92%和钨8%-12%；所述埋层注入的过程包括：将P型抛光片清洗后，依次进行N+埋层氧化、埋层光刻、埋层砷注入、砷退火和清洗；其中，所述N+埋层氧化的过程包括依次进行如下操作：在惰性气氛下进行一次热处理，在含氧气氛中进行二次热处理，在含氧气和氢气的气氛下进行三次热处理，在含氧气氛中进行四次热处理，在三氯乙烷气氛中进行五次热处理，在含氧气氛中进行六次热处理；所述一次热处理的处理温度为740℃-760℃，所述二次热处理、所述三次热处理、所述四次热处理、所述五次热处理、所述六次热处理的处理温度为940℃-960℃；所述一次热处理的处理时间为20min-40min，所述二次热处理的处理时间为15min-30min，所述三次热处理的处理时间为230min-250min，所述四次热处理的处理时间为15min-30min，所述五次热处理的处理时间为5min-20min，所述六次热处理的处理时间为110min-130min；所述埋层砷注入的过程中，控制注入剂量为（3-6）×1015cm-2，注入能量为40kev-60kev；所述砷退火的过程包括：将硅片先在惰性气氛、740℃-760℃的条件下处理20min-40min，然后在含氧气氛、1100℃-1300℃的条件下处理80min-100min，最后在惰性气氛、1100℃-1300℃的条件下处理230min-250min。

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权利要求：

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