申请/专利权人：海南航芯高科技产业集团有限责任公司

申请日：2023-09-06

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN220856567U

主分类号：H01L23/492

分类号：H01L23/492;H01L23/488;H01L25/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权

摘要：本实用新型公开了一种IGBT大电流芯片封装单元，包括铺设于散热基板上的导电片、焊接于导电片上的至少两组芯片组，以及导电连接件，每一芯片组包括一个IGBT芯片和一个二极管芯片，导电片包括一第一导电片、一第二导电片和一第三导电片，每组芯片组的芯片焊接于第二导电片上，且IGBT芯片临近第一导电片，二极管芯片临近第三导电片，导电连接件将同一组中IGBT芯片的E极和一二极管芯片的正电极和第三导电片电连接在一起，导电连接件还将IGBT芯片的G极和第一导电片电连接在一起，以使至少两组芯片组组成的IGBT电路单元并联在一起。与现有技术相比，本实用新型可使用低成本小电流的IGBT芯片组成大电流的IGBT封装单元。本实用新型还公开了一种大电流IGBT功率装置。

主权项：1.一种IGBT大电流芯片封装单元，其特征在于：包括铺设于散热基板上的导电片、焊接于所述导电片上的至少两组芯片组，以及导电连接件，每一所述芯片组包括一个IGBT芯片和一个二极管芯片，所述导电片包括一第一导电片、一第二导电片和一第三导电片，每组所述芯片组的芯片焊接于所述第二导电片上，且所述IGBT芯片临近所述第一导电片，所述二极管芯片临近所述第三导电片，所述导电连接件将同一组中所述IGBT芯片的E极和所述二极管芯片的正电极和所述第三导电片电连接在一起，所述导电连接件还将所述IGBT芯片的G极和所述第一导电片电连接在一起，以使至少两组所述芯片组组成的IGBT电路单元并联在一起。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 海南航芯高科技产业集团有限责任公司 IGBT大电流芯片封装单元及大电流IGBT功率装置

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