申请/专利权人：成都市时代速信科技有限公司

申请日：2023-09-21

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN220858821U

主分类号：H10K10/46

分类号：H10K10/46;H10K10/80

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权

摘要：本申请涉及半导体领域，公开了一种有机场效应晶体管，包括：源极、漏极、栅极、有机半导体层、绝缘介质层和驻极体层；驻极体层设于有机半导体层和绝缘介质层之间，且驻极体层的厚度在预设方向上逐渐减小；预设方向为由源极至漏极的方向。本申请设有厚度不均的驻极体层，驻极体层中可以存储电荷，所以在沟道中形成非均匀电荷分布，电荷可以提供外加电场。外加电场在由源极至漏极的方向上和大小上，补偿有机半导体层与栅极不均等的电势差，促进在沟道方向电荷的均匀累积或耗尽，使得整个沟道同步开启、关闭，极大提升正常器件亚阈区跨导，开关比。有机场效应晶体管被氧气掺杂时，也能保持良好的开关特性，极大的增加了可靠性和寿命。

主权项：1.一种有机场效应晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、栅极、有机半导体层、绝缘介质层和驻极体层；所述驻极体层设于所述有机半导体层和所述绝缘介质层之间，且所述驻极体层的厚度在预设方向上逐渐减小；所述预设方向为由所述源极至所述漏极的方向。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都市时代速信科技有限公司 一种有机场效应晶体管

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