申请/专利权人:苏州东微半导体股份有限公司
申请日:2022-10-18
公开(公告)日:2024-04-30
公开(公告)号:CN117954491A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要:本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件,包括:n型半导体层;凹陷在n型半导体层内的多个柱状绝缘层;位于n型半导体层内且位于所述柱状绝缘层的侧壁及底部位置处的p型掺杂区;位于n型半导体层内且位于柱状绝缘层两侧的p型体区,p型体区内设有n型源区;控制p型体区内的电流沟道的开启和关断的栅极结构。本发明的半导体超结功率器件的制造方法,先制造得到栅极结构和p型体区,再在n型半导体层内形成沟槽,之后各向同性地进行离子注入形成p型掺杂区,再填充氧化层形成柱状绝缘层,这可以去除外延工艺,采用较低的热预算来制造芯片,在实现短沟道的同时还能够降低半导体超结功率器件的制造难度并降低导通电阻。
主权项:1.半导体超结功率器件,其特征在于,包括:n型半导体层;凹陷在所述n型半导体层内的多个柱状绝缘层;位于所述n型半导体层内且位于所述柱状绝缘层的侧壁及底部位置处的p型掺杂区;位于所述n型半导体层内且位于所述柱状绝缘层两侧的p型体区,所述p型体区内设有n型源区;控制所述p型体区内的电流沟道的开启和关断的栅极结构。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 苏州东微半导体股份有限公司 半导体超结功率器件及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。