申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954385A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供一种通孔的制造方法，提供衬底，在衬底上形成集成电路器件；在半导体衬底上形成互连结构，其中，互连结构包括与集成电路器件连接的多个导电部件；在互连结构上形成刻蚀停止层以及位于刻蚀停止层上的层间介质层；在第一工艺腔中，在层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开所需的导电部件上方的光刻胶层使得其下方的层间介质层裸露，之后刻蚀裸露的层间介质层至刻蚀停止层上；在第二工艺腔中，去除光刻胶层以及聚合物，之后在轰击能力位于卡控范围内的刻蚀去除裸露的刻蚀停止层。本发明通过优化刻蚀及灰化工艺，避免晶圆与晶圆间通孔关键尺寸差异太大及在图形附近形成聚合物残留缺陷。

主权项：1.一种通孔的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成集成电路器件；在所述半导体衬底上形成互连结构，其中，所述互连结构包括与所述集成电路器件连接的多个导电部件；在所述互连结构上形成刻蚀停止层以及位于所述刻蚀停止层上的层间介质层；步骤二、在第一工艺腔中，在所述层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开所需的所述导电部件上方的所述光刻胶层使得其下方的所述层间介质层裸露，之后刻蚀裸露的所述层间介质层至所述刻蚀停止层上；步骤三、在第二工艺腔中，去除所述光刻胶层以及聚合物，之后在轰击能力位于卡控范围内的刻蚀去除裸露的所述刻蚀停止层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 通孔的制造方法

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