申请/专利权人：上海新储集成电路有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117995242A

主分类号：G11C11/56

分类号：G11C11/56;G11C16/04;G11C16/26

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.07#公开

摘要：本发明提供一种用于追踪相变存储器温度变化的读参考发生器，包括：相变存储器阵列；参考阵列，包括多个参考单元，每一参考单元分别包括参考电阻和选通单元；参考电阻由晶态相变电阻和定值电阻串联组成；选通单元在字线选通信号作用下可控制地连接于参考电阻和接地端之间，利用参考阵列中晶态相变电阻在高低阻态下的温度漂移系数，提供参考电流；电流比较模块，用于对相变存储器阵列输出的目标电流和参考电流进行比较，并产生读出信号。有益效果：利用晶态相变电阻来响应目标相变存储单元的状态，使参考电流具有温度自调性，避免参考阵列的电流值与目标相变存储阵列的电流值在温度变化时发生混叠，提高相变存储器在温度发生改变时的读出可靠性。

主权项：1.一种用于追踪相变存储器温度变化的读参考发生器，其特征在于，包括：一相变存储器阵列，包括多个目标相变存储单元，用于存储数据，并根据多个所述目标相变存储单元的状态输出一目标电流；一参考阵列，所述参考阵列包括多个参考单元，每一所述参考单元分别包括一参考电阻和一选通单元；其中，所述参考电阻由一晶态相变电阻和一定值电阻串联组成；所述多个参考单元中每一所述选通单元在一字线选通信号作用下可控制地连接于所述参考电阻和一接地端之间，利用所述参考阵列中所述晶态相变电阻在高低阻态下的温度漂移系数，提供具有追踪所述目标相变存储单元温度变化的参考电流；一电流比较模块，连接所述相变存储器阵列，用于对所述相变存储器阵列输出的所述目标电流和所述参考电流进行比较，并产生一读出信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海新储集成电路有限公司 一种用于追踪相变存储器温度变化的读参考发生器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD