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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2020-11-20
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN113363155B
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/417;H01L21/8238;H01L27/092
优先权：["20200527 US 16/884,972"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.07#授权;2021.09.24#实质审查的生效;2021.09.07#公开
摘要：一种示例性方法包括：形成从半导体衬底延伸的鳍；在鳍上沉积层间介电ILD层；在ILD层上形成掩模层；在掩模层上形成切割掩模，切割掩模包括第一介电材料，切割掩模具有暴露掩模层的第一开口，第一开口中的每个的所有侧由第一介电材料围绕；在切割掩模上和第一开口中形成线掩模，线掩模具有槽开口，槽开口暴露切割掩模的部分和掩模层的部分，槽开口是垂直于鳍延伸的带；通过蚀刻掩模层的由第一开口和槽开口暴露的部分图案化掩模层；以及使用图案化的掩模层作为蚀刻掩模在ILD层中蚀刻接触开口。本申请的实施例还涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。
主权项：1.一种形成半导体结构的方法，包括：形成从半导体衬底延伸的第一鳍；在所述第一鳍中生长源极漏极区域；在所述第一鳍上方形成金属栅极，所述金属栅极设置在所述源极漏极区域和所述第一鳍的第一伪区域之间；在所述源极漏极区域和所述第一伪区域上方沉积层间介电层；在所述层间介电层上方形成切割掩模，所述切割掩模具有第一切割部分、第二切割部分和第一修整部分，所述第一切割部分和所述第二切割部分的每个沿着所述第一鳍的纵轴延伸，所述第一鳍横向设置在所述第一切割部分和所述第二切割部分之间，所述第一修整部分将所述第一切割部分连接至所述第二切割部分，所述第一修整部分设置在所述第一伪区域上方；使用所述切割掩模作为蚀刻掩模图案化位于所述层间介电层中的接触开口，在所述图案化之后，位于所述第一修整部分之下的所述层间介电层的部分保留在所述第一伪区域上方；以及在所述接触开口中形成源极漏极接触件，所述源极漏极接触件耦接至所述源极漏极区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构和形成半导体结构的方法
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