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申请/专利权人：西北核技术研究所
申请日：2024-01-23
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016337A
主分类号：G21F5/015
分类号：G21F5/015;G01T7/02;G01T1/167
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明涉及一种核技术应用的放射源容器，具体涉及一种具有较小氙记忆效应的源盒及其制备方法。解决了现有放射性气体源盒具有较强氙记忆，导致难以获取样品准确浓度的技术问题，而提供一种具有较小氙记忆效应的源盒及其制备方法。本发明一种具有较小氙记忆效应的源盒，包括两个金属基体和位于两个金属基体之间的环状连接壁；两个金属基体和环状连接壁形成封闭的盒状结构，金属基体的内表面覆盖有陶瓷涂层；陶瓷涂层的厚度为0.02～5μm，金属基体的壁厚为0.3～2.0mm。本发明陶瓷涂层具有氙“记忆效应”小、弹性模量高、γ射线穿透性好、结构致密、抗氧化性好的特性，解决了氙浓度较低的样品以及不确定度要求较高样品难以准确测量的难题。
主权项：1.一种具有较小氙记忆效应的源盒，其特征在于：包括两个金属基体2和位于两个金属基体2之间的环状连接壁；所述两个金属基体2和环状连接壁形成封闭的盒状结构，所述金属基体2的内表面覆盖有陶瓷涂层1；所述环状连接壁上设有用于通过放射性氙源通入放射性氙的通孔；所述陶瓷涂层1的厚度为0.02～5μm，所述金属基体2的壁厚为0.3～2.0mm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北核技术研究所 一种具有较小氙记忆效应的源盒及其制备方法
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