申请/专利权人：宜宾英发德耀科技有限公司

申请日：2024-02-08

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN118016764A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L21/223;H01L21/02;H01L31/0236

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要：本发明公开了Topcon太阳能电池片的制备方法，属于光伏电池生产领域，具体步骤为：步骤1.预清洗；步骤2.碱制绒；步骤3.后清洗：去除残留的有机物；步骤4.酸洗：使用稀酸溶液进行高纯度清洗；步骤5.慢提拉预脱水：对晶硅片表面预脱水；步骤6.烘干：将晶硅片传输至烘干槽进行烘干；步骤7.硼扩散、碱抛：在硅片上形成PN结；步骤8.碱抛后，背面在LPCVD或者pe‑poly中生长二氧化硅隧穿层及Poly层；步骤9.镀膜：在硅片上镀一层薄膜；步骤10.丝网印刷：将电极图案通过丝网印刷的方式印在硅片上；步骤11.烧结：将印刷好的硅片进行烧结；步骤12.测试分选：对烧结好的太阳能电池片进行测试和分选；步骤13.包装：将测试合格的太阳能电池片进行包装。

主权项：1.Topcon太阳能电池片的制备方法，其特征在于步骤包括：步骤1.预清洗：使用NaOH溶液和H2O2溶液进行高温清洗，去除硅片表面上黏附的杂质，清洗后进行纯水清洗；步骤2.碱制绒：通过碱液对硅表面进行晶体的各向异性腐蚀，形成表面1.5-2.0um大小的金字塔，碱制绒使用NaOH溶液和制绒添加剂；制绒面形成的化学反应过程为Si+2NaOH+H2O＝Na2SiO3+2H2↑；步骤3.后清洗：去除残留的有机物，保证硅片表面的清洁程度，后清洗使用纯水进行高温清洗清洗后进行纯水清洗；步骤4.酸洗：使用稀酸溶液进行高纯度清洗，酸洗后进行纯水清洗，酸洗过程发生的化学反应如下：HCl+NaOH＝NaCl+H2O；SiO2+6HF＝H2SiF6+2H2O；步骤5.慢提拉预脱水：对晶硅片表面预脱水，将纯水清洗后的晶硅片传输至慢拉槽，硅片先沉入纯水内完全浸泡，然后通过机械手及吊篮缓慢向上提拉，表面张力能将硅片上的水膜拉下来；步骤6.烘干：将晶硅片传输至烘干槽进行烘干；步骤7.硼扩散：在硅片上形成PN结，形成高低结，同时提供优异的钝化效果。这个过程是在扩散炉内完成的，项目采用气态三氯化硼作为源，在扩散炉中对硅晶片进行扩散，硼原子通过扩散进入硅片，同时在硅片表面形成一层硼硅玻璃层，之后采用氢氧化钠或氢氧化钾作为处理液对上述硅片背面进行碱抛。主反应方程为：4BCl3+3O2→2B2O3+6Cl2↑，2B2O3+3Si→3SiO2+4B。扩散炉为密闭负压设备，配有进气口和出气口；步骤8.碱抛后，背面在LPCVD或者pe-poly中生长二氧化硅隧穿层及Poly层：在硅片上形成N型半导体层，形成高低结，同时提供优异的钝化效果。这个过程是在扩散炉内完成的，项目采用三氯氧磷作为源，在扩散炉中对硅晶片进行扩散，磷原子通过扩散进入硅片，同时在硅片表面形成一层磷硅玻璃层，之后对硅片进行RCA的清洗，随后进行清洗绕镀poly，在清洗过程中，需要确保这些多晶硅层不被破坏或受到不必要的侵蚀，扩散炉为密闭负压设备，配有进气口和出气口；步骤9.镀膜：在硅片上镀一层薄膜；步骤10.丝网印刷：将电极图案通过丝网印刷的方式印在硅片上；步骤11.烧结：将印刷好的硅片进行烧结，使电极材料与硅片表面实现良好的金半接触；步骤12.测试分选：对烧结好的太阳能电池片进行测试和分选，以确定电池片的性能和等级；步骤13.包装：将测试合格的太阳能电池片进行包装，以保护其在运输和使用过程中的质量。

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权利要求：

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