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申请/专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日：2022-08-16
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN115478321B
主分类号：C30B15/20
分类号：C30B15/20;C30B15/04;C30B29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.10#授权;2023.01.03#实质审查的生效;2022.12.16#公开
摘要：本申请提供了一种掺杂单晶硅的直拉生长及掺杂单晶硅，涉及太阳能光伏技术领域，其中，所述方法包括：在掺杂单晶硅处于等径生长阶段时，获取所述掺杂单晶硅的实际等径生长长度；根据所述实际等径生长长度，调整拉晶工艺参数，其中，不同等径生长长度对应的拉晶工艺参数至少部分不同。本申请通过调整等径生长阶段的拉晶工艺参数，控制减小掺杂元素在掺杂单晶硅轴向浓度分布差异，提高单晶硅轴向电阻率均匀性。
主权项：1.一种掺杂单晶硅的直拉生长方法，其特征在于，所述方法包括：在掺杂单晶硅处于等径生长阶段时，获取所述掺杂单晶硅的实际等径生长长度；根据所述实际等径生长长度，调整拉晶工艺参数，其中，不同等径生长长度对应的拉晶工艺参数至少部分不同；所述拉晶工艺参数包括晶转速率、晶体生长速率和埚转速率中的至少一个；在所述拉晶工艺参数包括晶转速率的情况下，根据所述实际等径生长长度，调整拉晶工艺参数，包括：在所述掺杂单晶硅中掺杂元素的平衡分凝系数小于1的情况下，控制等径生长第一阶段的平均晶转速率小于等径生长第二阶段的平均晶转速率；其中，所述第一阶段为第一等径部分对应的等径生长阶段，所述第二阶段为第二等径部分对应的等径生长阶段，所述第一等径部分的第一等径生长长度小于或等于所述第二等径部分的第二等径生长长度，且所述第一等径部分较所述第二等径部分靠近所述掺杂单晶硅的头部；在所述掺杂单晶硅中掺杂元素的平衡分凝系数大于1的情况下，控制等径生长第一阶段的平均晶转速率大于等径生长第二阶段的平均晶转速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 银川隆基硅材料有限公司 一种掺杂单晶硅的直拉生长方法及掺杂单晶硅
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