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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2023-07-06
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118055618A
主分类号：H10B43/30
分类号：H10B43/30;H10B43/20;H10B63/00
优先权：["20221117 KR 10-2022-0154616"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种存储装置及存储装置的制造方法。所述存储装置包括：层叠结构，所述层叠结构包括在第一方向上交替地层叠的多个导电层和多个绝缘层；多个第一插塞，所述多个第一插塞设置于所述层叠结构中，所述多个第一插塞在所述第一方向上延伸；以及第一支撑结构，所述第一支撑结构设置于所述层叠结构中，所述第一支撑结构与所述多个第一插塞中的至少一个第一插塞相邻。所述第一支撑结构包括在所述第一方向层叠的绝缘结构和第二插塞。所述多个第一插塞和所述第二插塞中的每一者包括沟道层。
主权项：1.一种存储装置，所述存储装置包括：层叠结构，所述层叠结构包括在第一方向上交替地层叠的多个导电层和多个绝缘层；多个第一插塞，所述多个第一插塞设置于所述层叠结构中，所述多个第一插塞在所述第一方向上延伸；以及第一支撑结构，所述第一支撑结构设置于所述层叠结构中，所述第一支撑结构与所述多个第一插塞中的至少一个第一插塞相邻，其中，所述第一支撑结构包括在所述第一方向层叠的绝缘结构和第二插塞，并且其中，所述多个第一插塞和所述第二插塞中的每一者包括沟道层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 存储装置及存储装置的制造方法
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