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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：采用耦合到管芯侧嵌入式迹线基板ETS层中的嵌入式金属迹线的补充金属层以减少金属密度失配的集成电路IC封装以及相关的制造方法。一种IC封装，该IC封装包括电耦合到封装基板的半导体管芯“管芯”。封装基板包括毗邻于管芯并耦合到管芯的管芯侧ETS金属化层。为了减少或避免管芯侧ETS金属化层与封装基板中的其他金属化层之间的金属密度失配，毗邻于管芯侧ETS金属化层设置具有附加金属互连件的补充金属层。附加金属互连件在垂直方向上耦合到管芯侧ETS金属化层中的嵌入式金属迹线以增加由耦合到管芯侧ETS金属化层中的嵌入式金属迹线的附加金属互连件形成的管芯侧金属互连件的金属密度。
主权项：1.一种集成电路IC封装，所述IC封装包括：封装基板，所述封装基板包括：第一金属化层，所述第一金属化层包括：第一绝缘层；和第一金属层，所述第一金属层包括嵌入在所述第一绝缘层中的一个或多个第一金属迹线；和第二金属层，所述第二金属层毗邻于所述第一金属化层设置，所述第二金属层包括一个或多个第二金属互连件，每个第二金属互连件耦合到所述第一金属化层的所述第一金属层中的所述一个或多个第一金属迹线中的第一金属迹线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 采用耦合到管芯侧嵌入式迹线基板（ETS）层中的嵌入式金属迹线的补充金属层的集成电路（IC）封装以及相关的制造方法
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