申请/专利权人：山东芯慧微电子科技有限公司

申请日：2021-12-14

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN114337676B

主分类号：H03M1/74

分类号：H03M1/74

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2022.04.29#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种精简结构的iDAC电路，属于集成电路技术领域。一种精简结构的iDAC电路，iDAC电路的输入端与电流源连接，包括3n+1个PMOS管分别为，M1、M2、……、Mn、Mn+1，P1、P2、……、Pn，Q1、Q2、……、Qn，还包括n个二选一开关S1、S2、……、Sn以及两个NMOS管N1、N2。本发明结构简单，以一个6bitiDAC为例，本发明仅需19个PMOS管即可实现该功能，这将大大降低芯片的面积开销由于大大减少了MOS管的使用数量，有效削弱了CMOS工艺固有弊端，即MOS管失配且电流镜像比例过大所导致的准确度降低的问题；本电路可广泛应用于iDAC模块中，且使用的均为常规MOS管，非常便于集成。

主权项：1.一种精简结构的iDAC电路，所述iDAC电路的输入端与电流源连接，其特征在于：所述iDAC电路包括3n+1个PMOS管分别为，M1、M2、……、Mn、Mn+1，P1、P2、……、Pn，Q1、Q2、……、Qn，还包括n个二选一开关S1、S2、……、Sn以及两个NMOS管N1、N2；PMOS管M1、M2、……、Mn、Mn+1的栅端均接地，除PMOS管M1的源端与所述iDAC电路的输入端连接，PMOS管的Mn+1的漏端接地，余下PMOS管的Mn的漏端与PMOS管Mn+1的源端；PMOS管P1、P2、……、Pn，Q1、Q2、……、Qn的栅端均接地，PMOS管P1、P2、……、Pn的源端分别与对应的PMOS管M1、M2、……、Mn的源端连接；PMOS管P1、P2、……、Pn的漏端分别与对应的PMOS管Q1、Q2、……、Qn的源端连接，PMOS管Q1、Q2、……、Qn的漏端分别与对应的二选一开关S1、S2、……、Sn的A端连接，二选一开关S1、S2、……、Sn的B端均接地，二选一开关S1、S2、……、Sn的C端均与NMOS管N1的漏端连接；NMOS管N1的漏端与NMOS管N1的栅端连接，NMOS管N1的源端接地；NMOS管N1的栅端接NMOS管N2的栅端，NMOS管N2的源端接地，NMOS管N2的漏端接iDAC电路的输出端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东芯慧微电子科技有限公司 一种精简结构的iDAC电路

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