申请/专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司

申请日：2022-06-23

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN115207169B

主分类号：H01L31/20

分类号：H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/068

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2022.11.04#实质审查的生效;2022.10.18#公开

摘要：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种P型IBC太阳能电池片及其制备方法、电池组件和光伏系统，制备方法包括：对硅片进行双面抛光处理；背面沉积隧穿层和非晶硅层；磷扩散；背面图形化激光消融；去除正面和侧面上的磷硅玻璃层、正面和背面制绒并去除硅片背面的磷硅玻璃层；沉积钝化膜层和减反膜层；激光开槽；印刷并烧结正电极和负电极。如此，通过对非晶硅层进行扩散时在背面形成磷硅玻璃层可以在对硅片正面进行制绒时对背面的N+多晶硅层保护以避免在制绒时对N+多晶硅层造成损伤，而无需另外增加沉积掩膜层的工艺来对背面的N+多晶硅层进行保护，简化了制作过程中的工艺步骤，同时可在制绒的同时对激光消融时形成的激光损伤进行去除。

主权项：1.一种P型IBC太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括：对硅片进行双面抛光处理；采用LPCVD或者PECVD在所述硅片的背面沉积隧穿层和非晶硅层；对所述硅片进行磷扩散以使所述非晶硅层转化为N+多晶硅层并在所述硅片的正面、侧面和背面均形成磷硅玻璃层；对所述硅片的背面进行图形化激光消融以将所述硅片的背面部分露出；去除所述硅片正面和侧面上的磷硅玻璃层、对所述硅片的正面以及所述硅片的背面的激光消融区进行制绒，并去除所述硅片背面的磷硅玻璃层；在所述硅片的正面沉积正面钝化膜层、正面减反膜层并在所述硅片的背面沉积背面钝化膜层和背面减反膜层；在所述硅片背面的激光消融区进行激光开槽以局部去除所述背面钝化膜层和所述背面减反膜层；在所述硅片背面的激光消融区的开槽位置印刷并烧结正电极并在所述硅片背面的非激光消融区印刷并烧结负电极；所述去除所述硅片正面和侧面上的磷硅玻璃层、对所述硅片的正面以及所述硅片的背面的激光消融区进行制绒，并去除所述硅片背面的磷硅玻璃层的步骤，包括：将所述硅片置于链式和槽式二合一湿法设备的链式刻蚀槽中，采用水上漂的方式并在所述硅片的背面喷水膜以将所述硅片正面的磷硅玻璃层和侧面的磷硅玻璃层去除；采用所述链式和槽式二合一湿法设备的传动装置将从所述链式刻蚀槽中出来的所述硅片置于承载篮中并将所述承载篮转入至第一槽式刻蚀槽中对所述硅片的正面以及背面的激光消融区进行制绒以去除所述硅片背面的激光损伤层；将所述硅片转入至第二槽式刻蚀槽中去除所述硅片背面的磷硅玻璃层。

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权利要求：

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