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申请/专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日：2019-12-23
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN111354759B
主分类号：H01L27/15
分类号：H01L27/15;H01L33/14;H01S5/026;H01S5/183
优先权：["20181224 TW 107146844"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.01.07#实质审查的生效;2020.06.30#公开
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含一半导体叠层，具有一第一型半导体结构、一活性结构设于该第一型半导体结构上以及一第二型半导体结构设于该活性结构上，其中该第二型半导体结构具有第一掺杂浓度；一第一部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含一电流局限区域；及一第二部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含一第一型重掺杂区域位于该第二型半导体结构中，该第一型重掺杂区域具有一第二掺杂浓度，高于该第一掺杂浓度，且该第一型重掺杂区域包含相互分离的第一区域以及第二区域。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包含：半导体叠层，具有第一型半导体结构、活性结构设于该第一型半导体结构上以及第二型半导体结构设于该活性结构上，其中该第二型半导体结构具有第一掺杂浓度；第一部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含电流局限区域；及第二部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含第一型重掺杂区域位于该第二型半导体结构中，该第一型重掺杂区域具有第二掺杂浓度，高于该第一掺杂浓度，且该第一型重掺杂区域包含相互分离的第一区域以及第二区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶元光电股份有限公司 半导体元件
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