申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2021-07-21

公开（公告）日：2024-05-14

公开（公告）号：CN113594240B

主分类号：H01L29/735

分类号：H01L29/735;H01L29/73;H01L29/24;H01L21/331

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.14#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开

摘要：本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的电极；制备方法包括：在带介质层的单晶硅衬底上表面制备遮挡层，旋涂包含硫元素和过渡金属元素的第一前驱体溶液；在所得样品的上表面旋涂光刻胶后去除遮挡层，在其上表面旋涂金属盐溶解于第一前驱体溶液形成的第二前驱体溶液，去除光刻胶；将所得样品在真空中进行激光辐照；在样品上表面制备金属电极，得到BJT。本发明使薄膜制备掺杂一步完成，解决现有二维材料BJT的制备工艺中薄膜易受损伤，影响器件性能的问题。

主权项：1.一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT的制备方法，其特征在于，所述基于二维过渡金属硫族化合物的BJT包括：带有介质层的单晶硅衬底；位于所述介质层上表面的薄膜层；所述薄膜层包括横向连接的三块二维过渡金属硫族化合物薄膜，依次为第一P型掺杂薄膜、N型掺杂薄膜和第二P型掺杂薄膜，分别构成发射区、基区和集电区；所述薄膜层中的三块过渡金属硫族化合物薄膜由旋涂于所述介质层上表面的前驱体溶液经激光辐照同时制备得到，且用于制备P型掺杂薄膜的前驱体溶液由用于制备N型掺杂薄膜的前驱体溶液原位掺杂金属盐制备而成；以及分别位于所述发射区、所述基区和所述集电区上表面的电极，分别构成发射极、基极和集电极；所述制备方法包括如下步骤：S1在带有介质层的单晶硅衬底中的介质层上表面制备遮挡层，仅露出所述介质层的中间区域；S2在制备了所述遮挡层的所述介质层上旋涂第一前驱体溶液，浸润后烘干，得到样品A；所述第一前驱体溶液中包含硫元素和二维过渡金属元素；S3在所述样品A的上表面旋涂光刻胶后，去除所述遮挡层，得到样品B；S4在所述样品B的上表面旋涂第二前驱体溶液，浸润后烘干，并去除光刻胶，得到样品C；所述第二前驱体溶液由金属盐在所述第一前驱体溶液中充分溶解后形成；S5将所述样品C置于真空环境下进行激光辐照，以在所述介质层上表面形成依次横向连接的第一P型掺杂过渡金属硫族化合物薄膜、N型掺杂过渡金属硫族化合物薄膜以及第二P型掺杂过渡金属硫族化合物薄膜，分别作为发射区、基区和集电区，得到样品D；S6在所述样品D中旋涂光刻胶，以在所述样品D中的发射区、基区和集电区分别制备所需电极图案，之后在所述发射区、所述基区和所述集电区上表面分别沉积电极，作为发射极、基极和集电极，得到样品E；S7去除所述样品E中的光刻胶，得到所述基于二维过渡金属硫族化合物的BJT。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法

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