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申请/专利权人：派赛公司
申请日：2022-09-27
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN118077148A
主分类号：H03K17/0412
分类号：H03K17/0412;H03K17/687
优先权：["20211001 US 17/492,199"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.24#公开
摘要：描述了用于减少RFFET开关器件的开关时间的装置。FET开关堆叠包括FET开关的堆叠布置和多个栅极馈送布置，每个栅极馈送布置耦接在堆叠布置的不同高度处。还描述了具有串联RFFET开关和分流RFFET开关的组合的电路布置，每个串联RFFET开关和分流RFFET开关具有FET开关的堆叠。分流开关具有一个或更多个分流栅极馈送布置，其中的旁路开关的数量小于分流堆叠中FET开关的数量。
主权项：1.一种FET开关堆叠，包括：FET开关的堆叠布置，所述FET开关的堆叠布置从底部FET开关进行到顶部FET开关，其中，所述堆叠布置内部的FET开关的位置限定所述堆叠布置中的对应高度，所述高度从与所述底部FET开关对应的最小高度到与所述顶部FET开关对应的最大高度，所述堆叠布置在一端处连接至RF端子，所述RF端子被配置成耦接至RF信号，所述堆叠布置被配置成具有其中所述FET开关导通的导通稳定状态、其中所述FET开关关断的关断稳定状态、以及其中所述FET开关正从导通转变至关断和正从关断转变至导通的转变状态；以及多个栅极馈送布置，每个栅极馈送布置在所述堆叠布置的不同高度处耦接至所述堆叠布置，并且包括连接在一个或更多个公共栅极电阻器两端的一个或更多个旁路开关，所述每个栅极馈送布置被配置成将控制信号馈送至所述FET开关的栅极，以控制所述堆叠布置的导通稳定状态、关断稳定状态和转变状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 派赛公司 用于减少RF FET开关器件的开关时间的方法和装置
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