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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明涉及一种锑基光阴极Sb2S3Sb2O3异质结结构及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明锑基光阴极Sb2S3Sb2O3异质结结构，由p型Sb2S3薄膜底层、Sb2S3Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3薄膜顶层组成；在基底上溅射Sb得到Sb薄膜，Sb薄膜经硫化反应得到Sb2S3薄膜，Sb2S3薄膜与氧气反应生成Sb2S3Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3导带底得到锑基光阴极Sb2S3Sb2O3异质结结构。以窄带隙p型Sb2S3薄膜吸收光能，宽带隙Sb2O3薄膜作为光生电子的传输通道、催化层和耐腐蚀层，借助Sb2S3Sb2O3异质结间的能极差来分离光生载流子，Sb2S3Sb2O3缓冲层提高电荷传输效率和稳定性，增强电极的导电性与材料的耐腐蚀性。
主权项：1.一种锑基光阴极Sb2S3Sb2O3异质结结构，其特征在于：由p型Sb2S3薄膜底层、Sb2S3Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3薄膜顶层组成；所述锑基光阴极Sb2S3Sb2O3异质结结构的制备方法，具体步骤如下：（1）在基底上溅射Sb得到Sb薄膜；（2）Sb薄膜经硫化反应得到Sb2S3薄膜；（3）Sb2S3薄膜与氧气反应生成Sb2S3Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3薄膜顶层得到锑基光阴极Sb2S3Sb2O3异质结结构；Sb2S3Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3薄膜顶层的制备方法为化学气相沉积法、等离子法或加热法；所述加热法的氧化反应温度为100~300℃，氧化时间为30S~20min，氧气与惰性气体混合气中氧气分压为50~100%；所述化学气相沉积法的氧化温度为200~600℃，氧化时间为10~120min，氧气与惰性气体混合气中氧分压为50~100%；所述等离子法的射频功率为150~500W，等离子射频时间为10~60min，氧气与惰性气体混合气中氧分压为50~100%。
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