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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日：2024-03-12
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118100917A
主分类号：H03L7/099
分类号：H03L7/099;H03B5/04;H03B5/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开了一种基于GaAsHBT工艺的宽带压控振荡器，包括振荡器模块，以及与其相连接的偏置模块、输出模块，本发明设计的宽带压控振荡器能够应用于锁相环系统；采用电容反馈式Colpitts结构进行正反馈负阻电路设计，在负阻管基极和射极接变容管进行双调谐，在0‑5VVT调谐电压变化内实现了2.5‑3.2GHz频带范围；基极变容管采用双变容管串联方式，有效降低闪烁噪声贡献，相位噪声在整个频带均小于‑108dBcHz@100kHzOffset；输出级采用交流耦合电容和电阻衰减网络进行输出，获得较好的匹配特性；本发明提供的压控振荡器电路，具有宽的频带范围和良好的相位噪声性能。
主权项：1.一种基于GaAsHBT工艺的宽带压控振荡器，其特征在于，包括振荡器模块、偏置模块、输出模块；其中，振荡器模块由负阻电路、谐振电路组成，负阻电路采用电容反馈型Colpitts结构，形成正反馈网络，为谐振电路注入能量；偏置模块与振荡器模块相连接，通过电阻分压方式给负阻电路提供偏置电压；输出模块与振荡器模块相连接，作为输出端口，对振荡器模块进行输出匹配。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种基于GaAs HBT工艺的宽带压控振荡器
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