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【发明公布】替代金属栅极之后埋入式电源轨_国际商业机器公司_202280068357.6 

申请/专利权人:国际商业机器公司

申请日:2022-10-28

公开(公告)日:2024-05-28

公开(公告)号:CN118103971A

主分类号:H01L21/74

分类号:H01L21/74;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/66

优先权:["20211122 US 17/531,837"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开

摘要:本文中的实施例包括具有连接到第一场效应晶体管FET区域的第一源极漏极SD、连接到第二FET区域的第二SD和埋入式电源轨BPR区域的半导体结构。BPR区域可以包括BPR、内衬在BPR区域的第一横向侧的第一电介质衬垫和内衬在第二横向侧的第二电介质衬垫。第一电介质衬垫将BPR与第一FET区域和第一SD隔离,并且第二电介质衬垫将BPR与第二FET区域隔离。实施例还可以包括通过BPR区域的第二横向侧电连接第二SD和BPR的触点。衬垫使得BPR能够在栅极和SD形成之后形成,从而BPR在栅极和SD的退火工艺期间不引起问题。

主权项:1.一种半导体结构,包括:第一源极漏极SD,连接到第一场效应晶体管FET区域;第二SD,连接到第二FET区域;埋入式电源轨BPR区域,在第一方向上横向延伸,并且位于所述第一FET区域与所述第二FET区域之间,所述埋入式电源轨BPR区域包括:埋入式电源轨BPR;第一电介质衬垫,内衬在所述BPR区域的第一横向侧上,其中所述第一电介质衬垫将所述BPR与所述第一FET区域和所述第一SD隔离;第二电介质衬垫,内衬在所述BPR区域的第二横向侧上,其中所述第二电介质衬垫将所述BPR与所述第二FET区域隔离;以及触点,通过所述BPR区域的第二横向侧电连接所述第二SD和所述BPR。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 国际商业机器公司 替代金属栅极之后埋入式电源轨

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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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