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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本申请涉及SOI材料的刻蚀方法。根据本申请的SOI材料的刻蚀方法包括主刻蚀阶段和第一过刻蚀阶段，主刻蚀阶段和第一过刻蚀阶段均包括多个博世工艺周期，其中，主刻蚀阶段的下射频脉冲占空比较大且其博世工艺周期中刻蚀步骤的时间占比较大，有利于实现较高刻蚀速率；第一过刻蚀阶段的下射频脉冲占空比较小，范围为10％～15％，同时其博世工艺周期中沉积步骤的时间占比较大，共同实现有效抑制Notch的技术效果。从而，根据本申请的方法在实现较高刻蚀速率的同时能有效抑制Notch，而且无需使用具有过低低于10％占空比的下射频脉冲。
主权项：1.一种SOI材料的刻蚀方法，其特征在于，所述方法依次包括主刻蚀阶段和第一过刻蚀阶段，其中：所述主刻蚀阶段包括多个博世工艺周期；所述第一过刻蚀阶段包括多个博世工艺周期，所述第一过刻蚀阶段的下射频脉冲占空比范围为10％～15％，小于所述主刻蚀阶段的下射频脉冲占空比，并且所述第一过刻蚀阶段的博世工艺周期中沉积步骤的时间占比大于所述主刻蚀阶段结束时的博世工艺周期中沉积步骤的时间占比。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 一种SOI材料的刻蚀方法
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