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申请/专利权人：桂林电子科技大学
摘要：本发明公开了一种高剩磁比高矫顽力的M型铁氧体异质结薄膜的制备方法，该方法选用了SrTiO3111衬底，Sr3Al2O6作为缓冲层，得到结构为BaFe12O190001Sr3Al2O6SrTiO3的异质结薄膜。其制备方法包括以下步骤：（1）使用脉冲激光沉积系统（PLD）在SrTiO3111衬底上沉积作为缓冲层的Sr3Al2O6薄膜。（2）使用脉冲激光沉积系统在Sr3Al2O6SrTiO3异质结结构上沉积M型铁氧体BaFe12O19薄膜。本实验以Sr3Al2O6作为缓冲层，制备了BaFe12O190001Sr3Al2O6SrTiO3异质结薄膜。后续的磁性结果显示，材料的剩磁比高达0.97，矫顽力增加至15kOe，这使得该材料在微波吸收、垂直磁记录、永磁等方面具有广阔的应用前景。
主权项：1.一种高剩磁比高矫顽力的M型铁氧体异质结薄膜的制备方法，其特征在于，将BaFe12O19与Sr3Al2O6结合，具体包括如下步骤：（1）靶材制备：使用纯度为99.9%以上的SrCO3、Al2O3、BaCO3和Fe2O3制备用于脉冲激光沉积的Sr3Al2O6与BaFe12O19的靶材；（2）薄膜沉积：将SrTiO3111衬底、BaFe12O19靶材与Sr3Al2O6靶材置于PLD样品腔内，使用脉冲激光沉积的方法首先在SrTiO3111衬底上沉积Sr3Al2O6薄膜，然后沉积BaFe12O19薄膜，上述SrTiO3111衬底为单晶基片，晶面为111，得到的是0001取向的M型铁氧体BaFe12O19薄膜；（3）原位退火：将样品腔内条件设置为600℃、1-2kPa氧压，在此条件下保持120min，然后缓慢降至室温；（4）马弗炉退火：将沉积完成的薄膜置于马弗炉中退火，温度为1100℃，时间60min，以保证薄膜的生长。
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百度查询： 桂林电子科技大学 一种高剩磁比高矫顽力的M型铁氧体异质结薄膜的制备方法
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