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申请/专利权人：腾辉电子(苏州)有限公司
申请日：2024-02-06
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118139285A
主分类号：H05K3/00
分类号：H05K3/00;H05K3/38;H05K1/03;H05K1/05;C09J171/12;C09J11/04
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开
摘要：本发明属于金属基板领域，涉及一种低CTE的高频高速金属基板及其制备方法；低CTE的高频高速金属基板由金属板、铜箔以及位于二者之间的绝缘树脂层组成，绝缘树脂层的CTE在50～200℃时为20～30μmm·℃；制备方法即将胶水涂布于基片上，干燥后得到半固化片；再在金属板的上方堆叠0张以上去除基片后的半固化片后，再堆叠1张带铜箔的半固化片并控制铜箔朝上，进行热压，或在金属板的上方堆叠1张以上去除基片后的半固化片后，再堆叠1张铜箔，进行热压，即得低CTE的高频高速金属基板。本发明的制备方法简单，制得的低CTE的高频高速金属基板的绝缘树脂层的CTE与金属底材相近。
主权项：1.一种低CTE的高频高速金属基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将胶水涂布于基片上，干燥后得到半固化片，其中，基片为铜箔或者带离型剂的PET膜，离型剂朝向胶水；胶水包括A组分和B组分；A组分由质量比为4:6～6:4的固体和溶剂组成，按重量百分数计，固体由5％～20％的PPO、44％～67％的TAIC、5％～17％的BMI、0.5％～1.5％的过氧化物引发剂和余量的HC组成；B组分为无机填料；B组分的质量为胶水总质量的75％～85％；2在金属板的上方堆叠0张以上去除基片后的半固化片后，再堆叠1张带铜箔的半固化片并控制铜箔朝上，进行热压，即得低CTE的高频高速金属基板；或者，在金属板的上方堆叠1张以上去除基片后的半固化片后，再堆叠1张铜箔，进行热压，即得低CTE的高频高速金属基板；金属板为铜板或铝板；热压的温度为200～220℃，时间为100～120min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 腾辉电子(苏州)有限公司 一种低CTE的高频高速金属基板及其制备方法
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