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申请/专利权人：昆明物理研究所
申请日：2024-03-01
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118136702A
主分类号：H01L31/0352
分类号：H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/101
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.04#公开
摘要：本发明公开了一种空穴势垒能带渐变的长波红外探测器二类超晶格材料，包括GaSb衬、GaSb缓冲层、p型电极接触层、电子势垒层、二类超晶格吸收层、第一层空穴势垒层、第二层空穴势垒层、第三层空穴势垒层、n型电极接触层和n型InAs盖层；第一层空穴势垒层为InAsGaSbAlSbGaSb超晶格；第二层空穴势垒层为InAsGaSbAlSbGaSb超晶格；第三层空穴势垒层为InAsGaSbAlSbGaSb超晶格；n型电极接触层为InAsAlSb超晶格。本发明从吸收层到n型电极接触层，通过三层带隙渐变的势垒层过渡，导带基本平齐，带隙逐渐增大，并且将第一层空穴势垒层和第二层空穴势垒进行弱p型掺杂，第三层空穴势垒层进行n型掺杂，使得pn结界面移入带隙较宽的势垒层中。
主权项：1.一种空穴势垒能带渐变的长波红外探测器二类超晶格材料，其特征在于：该材料是通过分子束外延在GaSb衬底上从下往上依次制备GaSb缓冲层、p型电极接触层、电子势垒层、二类超晶格吸收层、第一层空穴势垒层、第二层空穴势垒层、第三层空穴势垒层、n型电极接触层以及n型InAs盖层；所述第一层空穴势垒层为InAsGaSbAlSbGaSb超晶格；所述第二层空穴势垒层为InAsGaSbAlSbGaSb超晶格；所述第三层空穴势垒层为InAsGaSbAlSbGaSb超晶格；所述n型电极接触层为InAsAlSb超晶格。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明物理研究所 一种空穴势垒能带渐变的长波红外探测器二类超晶格材料
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