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基于顶栅结构的OTFT作为像素电路的AMOLED及其制备方法 

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申请/专利权人:吉林大学

摘要:本发明公开了基于顶栅结构的OTFT作为像素电路的AMOLED及其制备方法,属于显示技术领域,包括衬底及位于其上的像素阵列;所述像素阵列由m行与n列的像素单元构成,其中,m与n均为自然数;所述每个像素单元包括两个OTFT、一个电容及一个OLED;其制备过程包括:1次光刻、1次等离子刻蚀、2次溶液法制备与3次真空热蒸发,共7步工序;本发明的顶栅OTFT作为像素电路的AMOLED有益于制备具有较小面积、其较大沟道宽长比的OTFT,能驱动具有较大面积的OLED,进而有益于增大AMOLED的开口率;本发明的AMOLED的制备方法有明显的工艺简单、生产成本与能耗低的优势,能极大提升其商业竞争力。

主权项:1.基于顶栅结构的OTFT作为像素电路的AMOLED,其特征在于,包括衬底及位于其上的像素阵列;所述像素阵列由m行与n列的像素单元构成,其中,m与n均为自然数;所述每个像素单元包括两个OTFT、一个电容及一个OLED;所述OTFT从下到上依次包括源电极漏电极、有机半导体层、聚合物绝缘层及栅电极;所述电容从下到上依次包括底电极、有机半导体层、聚合物绝缘层及顶电极;所述OLED从下到上依次包括阳极、有机半导体有源层及阴极;所述两个OTFT分别为开关OTFT及驱动OTFT;开关OTFT的漏电极、驱动OTFT的栅电极及电容的顶电极三者连接,驱动OTFT的漏电极连接OLED的阳极;在AMOLED中,电容、OLED及两个OTFT之间由相关的扫描公共线、数据公共线、供电公共线、接地公共线导线连接。

全文数据:

权利要求:

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