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申请/专利权人：法国原子能源和替代能源委员会
申请日：2023-12-04
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118136742A
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L33/02
优先权：["20221202 FR FR2212704"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.04#公开
摘要：本发明涉及用于制备生长衬底10的方法，所述方法包括产生基于GaN的具有各种多孔化水平的台体，对台体的各个部分实施非光辅助和光辅助电化学多孔化的差异化步骤。
主权项：1.一种适于通过外延产生基于InGaN的二极管矩阵的生长衬底10的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：o提供基于GaN的结晶堆叠体20，其包括：掺杂底层23；和顶层24，所述顶层24由Inx2Ga1-x2N制成，其中x20，位于掺杂底层23上并与掺杂底层23接触；其中：·掺杂底层23具有预定义的铟比例x1≥0，使得它不吸收具有预定义的中心波长的照明光辐射，并且顶层24具有预定义的铟比例x20，使得它吸收照明光辐射；·掺杂底层23具有预定义的掺杂水平，使得它在预定义值VECE的电压下是能够多孔化的，并且顶层24具有预定义的掺杂水平，使得它在预定义的电压VECE下是不能够多孔化的；o通过局部蚀刻顶层24以形成台体的顶部部分14，以及通过局部蚀刻至少部分掺杂底层23以形成台体的底部部分13，产生台体Mi，其中i的范围为0至2；然后o沉积由电绝缘材料制成的封装层4，覆盖至少一个表示为M0的台体，使得所述台体M0在表示为M1和M2的台体的电化学多孔化期间不被多孔化；然后o通过以下对至少一个台体M2的底部13和顶部14部分进行电化学多孔化：通过发射照明光辐射对台体M2的顶部部分14进行光辅助多孔化；以及通过施加值VECE的电压对台体M2的底部部分13进行非光辅助多孔化；o通过以下仅对至少一个台体M1的底部13和顶部14的其中之一进行电化学多孔化：在台体M2的顶部部分的光辅助多孔化期间对台体M1的顶部部分14进行光辅助多孔化；或在台体M2的底部部分的非光辅助多孔化期间对台体M1的底部部分13进行非光辅助多孔化；o至少部分移除封装层4，以空出台体M0的顶部表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 法国原子能源和替代能源委员会 通过差异化电化学多孔化制备包括具有各种多孔化水平的台体的生长衬底的方法
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