申请/专利权人：无锡先仁智芯微电子技术有限公司

申请日：2020-08-12

公开（公告）日：2024-06-04

公开（公告）号：CN111969061B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.04#授权;2020.12.08#实质审查的生效;2020.11.20#公开

摘要：本发明涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种LDMOS结构及其制作方法，旨在解决现有技术中LDMOS器件的击穿电压和导通电阻之间的矛盾问题，其技术要点在于包括半导体衬底；阱区，位于半导体衬底中；体区，位于半导体衬底的阱区一侧；栅极结构，其包括叠加形成的栅介质层和多晶硅栅；源极结构，位于体区表面并与多晶硅栅的第一侧面对准；漏极结构，位于阱区表面并靠述多晶硅栅的第二侧面；漂移区，位于栅极结构、漏极结构的交接区域，且其掺杂浓度从栅极结构开始沿横向逐渐增加。本方案通过实现漂移区的掺杂浓度横向逐渐变化，使得LDMOS器件的击穿电压增加，且不会使得导通电阻增加太多，从而提高LDMOS器件的性能和可靠性。

主权项：1.一种LDMOS结构的制作方法，其特征在于，所述LDMOS结构包括：半导体衬底（1）；阱区（2），位于所述半导体衬底（1）中；体区（3），位于所述半导体衬底（1）的阱区（2）一侧，所述体区（3）的结深小于所述阱区（2）的结深，所述体区（3）和所述阱区（2）横向交叠；栅极结构（4），其包括叠加形成的多晶硅栅（41）和栅介质层（42），所述栅介质层（42）覆盖所述体区（3）的表面且所述栅介质层（42）的第二侧面延伸到所述阱区（2）的表面；源极结构（5），位于所述体区（3）表面并与所述栅介质层（42）的第一侧面对准；漏极结构（6），位于所述阱区（2）表面并靠近所述栅介质层（42）的第二侧面；漂移区（7），位于所述栅极结构（4）、漏极结构（6）之间，且其掺杂浓度从所述栅极结构（4）开始沿横向逐渐增加；所述LDMOS结构的制作方法包括以下步骤：在半导体衬底（1）中形成阱区（2），在阱区（2）一侧的半导体衬底（1）内形成体区（3）；形成横跨覆盖部分所述体区（3）、阱区（2）的栅极结构（4），在栅极结构（4）一侧的体区（3）上形成源极结构（5），在栅极结构（4）另一侧的阱区（2）上形成漏极结构（6）；在所述栅极结构（4）、漏极结构（6）之间形成位于所述阱区（2）内的漂移区（7），在所述漂移区（7）的两侧形成位于所述阱区（2）上的阻挡层（9）；对所述漂移区（7）进行掺杂；在所述栅极结构（4）、漏极结构（6）的交接区域形成覆盖在所述漂移区（7）上的介质层（8）；对介质层（8）进行倾斜离子注入，以使介质层（8）的表层得以掺杂，且掺杂的深度随着离体区（3）越远而越深，并形成掺杂介质层（81），其中，倾斜离子注入时，倾斜离子沿栅极结构（4）到漏极结构（6）的方向斜向下入射，倾斜离子入射方向与水平方向具有夹角；对掺杂介质层（81）进行腐蚀或蚀刻，以形成高度逐渐变化的剩余介质层（82）；对所述漂移区（7）进行高温退火，以形成掺杂浓度从所述栅极结构（4）开始沿横向逐渐增加的漂移区（7），去除剩余介质层（82）和阻挡层（9）。

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权利要求：

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