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申请/专利权人：正泰新能科技股份有限公司
申请日：2024-03-08
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118147579A
主分类号：C23C14/08
分类号：C23C14/08;C23C14/58
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明提供了一种全无机钙钛矿吸光层及其制备方法与用途，所述制备方法采用磁控溅射方法，溅射单靶源CsPb1‑xSnxI3，或同时溅射互相独立的靶源CsI，及靶源PbI2和或靶源SnI2，直接形成钙钛矿并得到薄膜，使薄膜退火转相后即可得到钙钛矿吸光层；所述制备方法能够提升全无机钙钛矿吸光层的高温稳定性，由于无需进行额外的化学反应且无需使用溶剂，而对环境友好，且具有成分可控、操作简单、可大面积生产等优势，能够解决传统钙钛矿大面积的均匀性以及溶液法粗糙空洞较多的问题，对承接钙钛矿的基底形貌无要求，能够实现在陷光结构以及柔性衬底上制备无孔洞、高质量全无机钙钛矿吸光层。
主权项：1.一种全无机钙钛矿吸光层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：采用磁控溅射方法，溅射单靶源CsPb1-xSnxI3，0≤x≤1，得到溅射膜；将溅射膜进行退火转相，得到全无机钙钛矿吸光层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 正泰新能科技股份有限公司 一种全无机钙钛矿吸光层及其制备方法与用途
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