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申请/专利权人：山东大学
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156314A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明涉及一种基于等离子体增强原子层沉积的超薄氧化铟薄膜晶体管及其制备方法，包括栅电极、栅介质层、沟道层、钝化层、源电极和漏电极，其中，衬底上直接生长有栅电极，栅电极上依次生长有栅介质层、沟道层、钝化层，钝化层两侧分别生长有源电极与漏电极。本发明的In2O3有源层为PEALD沉积，且沉积速度较快，且可获得非晶态的In2O3。薄膜厚度可精确控制，从而调控器件电学性能。本发明可以通过氧化铟薄膜上的钝化层调控器件的电学特性，例如通过氧化镓、氧化铝，铟镓锌氧的钝化层，改变器件的阈值电压与迁移率，提高了器件迁移率和阈值电压可控范围。
主权项：1.一种基于等离子体增强原子层沉积的超薄氧化铟薄膜晶体管，其特征在于，包括栅电极、栅介质层、沟道层、钝化层、源电极和漏电极，其中，衬底上直接生长有栅电极，栅电极上依次生长有栅介质层、沟道层、钝化层，钝化层两侧分别生长有源电极与漏电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种基于等离子体增强原子层沉积的超薄氧化铟薄膜晶体管及其制备方法
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