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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-12-05
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118159022A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：["20221206 KR 10-2022-0169098"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：提供了一种集成电路装置，其包括基底和栅极结构，基底包括限定有源区域的元件隔离膜，栅极结构掩埋在基底的有源区域中。栅极结构包括栅极沟槽、沿着栅极沟槽的内壁共形的外绝缘层、在外绝缘层上共形的沟道结构层、在沟道结构层上共形的栅极绝缘层、填充栅极沟槽的下区域的栅电极层以及在栅电极层上的封盖绝缘层，封盖绝缘层填充栅极沟槽的上区域。
主权项：1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：基底，包括限定有源区域的元件隔离膜；以及栅极结构，掩埋在所述基底的所述有源区域中，所述栅极结构包括：栅极沟槽，外绝缘层，沿着所述栅极沟槽的内壁共形地形成，沟道结构层，在所述外绝缘层上共形地形成，栅极绝缘层，在所述沟道结构层上共形地形成，栅电极层，填充所述栅极沟槽的下区域，以及封盖绝缘层，在所述栅电极层上，所述封盖绝缘层填充所述栅极沟槽的上区域。
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