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申请/专利权人：广州增芯科技有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118151494A
主分类号：G03F7/16
分类号：G03F7/16
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明提供了一种光刻胶涂布方法及半导体前段制作工艺，适用于28纳米及以上的半导体工艺节点，应用于双图案化工艺在晶圆上形成的稠密图形。该方法包括：在晶圆表面喷涂预设量的溶剂，并使晶圆按照第一转速旋转第一预设时间段；使晶圆按照第二转速旋转第二预设时间段；喷涂预设剂量的光刻胶；旋转均匀所述晶圆上的光刻胶至预设厚度；使晶圆按照第三转速旋转第三预设时间段，进一步去除涂有光刻胶的晶圆上的所述溶剂；去除晶圆边缘部分的光刻胶；烘烤所述晶圆上的光刻胶，固化所述光刻胶；相较于现有技术的光刻胶涂布方法，本发明的技术方案能缓解在双图案化工艺中光刻胶涂布后的负载效应，提高后续刻蚀得到的图形的尺寸均匀性。
主权项：1.一种光刻胶涂布方法，其特征在于，适用于28纳米及以下的半导体工艺节点，应用于双图案化工艺在晶圆上形成的稠密图形，该方法包括：步骤S11：在晶圆表面喷涂预设量的溶剂，并使晶圆按照第一转速旋转第一预设时间段，使得溶剂能均匀分布于晶圆上；步骤S12：使晶圆按照第二转速旋转第二预设时间段，以减少所述晶圆上稠密图形区的溶剂量；步骤S21：喷涂预设剂量的光刻胶；步骤S22：旋转均匀所述晶圆上的光刻胶的厚度；步骤S31：使晶圆按照第三转速旋转第三预设时间段，进一步去除涂有光刻胶的晶圆上的所述溶剂；步骤S32：去除晶圆边缘部分的光刻胶；步骤S33：烘烤所述晶圆上的光刻胶，固化所述光刻胶；其中，所述第二转速高于所述第一转速，所述第二预设时间段长于所述第一预设时间段。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州增芯科技有限公司 一种光刻胶涂布方法及半导体前段制作工艺
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