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申请/专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日：2023-12-05
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118159104A
主分类号：H10K71/00
分类号：H10K71/00;C30B29/12;C30B33/00;H10K30/88;H10K85/50;H10K30/60
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明属于半导体探测器材料制备技术领域，提供了一种基于超高电压下可以稳定运行的CsPbBr3单晶X射线探测器的办法。主要通过使用高极性的混合配体溶液对单晶表面进行表面钝化以及电极的配位作用，来提高钙钛矿单晶的离子迁移势垒，这有效的提升了X射线探测器的探测性能。本发明使用高极性溶剂对钙钛矿单晶进行表面缺陷处理，所述的处理方法简单、有效，是一种绿色环保基于钙钛矿单晶X射线探测器的处理方法。
主权项：1.一种铯铅溴钙钛矿单晶器件的表面处理方法，其特征在于，采用三2－氨基乙基胺C6H18N4与高极性醇类溶剂混合作为钝化剂对铯铅溴钙钛矿单晶器件进行表面钝化以及电极的配位作用，使铯铅溴钙钛矿单晶离子迁移势垒，提升X射线探测器的探测性能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种铯铅溴钙钛矿单晶器件的表面处理方法
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