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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日：2023-11-23
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156338A
主分类号：H01L31/0296
分类号：H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本申请公开了一种碲镉汞双色材料结构及其制备方法，包括顺次设置的衬底、波段1p型吸收层、n型阻挡层和波段2p型吸收层；所述波段1p型吸收层Cd组分范围为0.26‑0.40；所述n型阻挡层Cd组分范围为0.3‑0.45；所述波段2p型吸收层Cd组分范围为0.26‑0.32；所述波段1p型吸收层碲镉汞组分高于所述波段2p型吸收层碲镉汞组分。本申请实施例通过对碲镉汞材料进行结构设计，采用非掺杂的p型层，设计出p‑n‑p双色结构，不需要经过热处理即获得碲镉汞双色材料。
主权项：1.一种碲镉汞双色材料结构，其特征在于，包括顺次设置的衬底、波段1p型吸收层、n型阻挡层和波段2p型吸收层，其中所述波段1p型吸收层位于所述衬底上方，所述n型阻挡层位于所述波段1p型吸收层上方，所述波段2p型吸收层位于所述n型阻挡层上方，所述波段1p型吸收层和所述波段2p型吸收层均为非掺杂碲镉汞层，所述n型阻挡层为In掺杂碲镉汞层；所述波段1p型吸收层Cd组分范围为0.26-0.40；所述n型阻挡层Cd组分范围为0.3-0.45；所述波段2p型吸收层Cd组分范围为0.26-0.32；所述波段1p型吸收层碲镉汞组分高于所述波段2p型吸收层碲镉汞组分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种碲镉汞双色材料结构及其制备方法
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