申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2023-12-07
公开(公告)日:2024-06-07
公开(公告)号:CN118159031A
主分类号:H10B43/10
分类号:H10B43/10;H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50
优先权:["20221207 KR 10-2022-0170049"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.07#公开
摘要:公开了一种集成电路装置和一种电子系统。所述集成电路装置包括:半导体衬底;多条导电线,其在半导体衬底上在水平方向上延伸并且在竖直方向上彼此重叠;多个绝缘层,其位于多条导电线中的成对的导电线之间并且在水平方向上延伸;以及沟道结构,其穿过多条导电线和多个绝缘层,其中,沟道结构包括核心绝缘层、位于核心绝缘层的侧壁和底表面上的沟道层、位于沟道层的外壁上的栅极绝缘层、以及位于栅极绝缘层的外壁上的铁电层。
主权项:1.一种集成电路装置,包括:半导体衬底;多条导电线,其在所述半导体衬底上在水平方向上延伸并且在竖直方向上彼此重叠;多个绝缘层,其位于所述多条导电线中的成对的导电线之间并且在所述水平方向上延伸;以及沟道结构,其穿过所述多条导电线和所述多个绝缘层,其中,所述沟道结构包括:核心绝缘层,沟道层,其位于所述核心绝缘层的侧壁和底表面上,栅极绝缘层,其位于所述沟道层的外壁上,以及铁电层,其位于所述栅极绝缘层的外壁上。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 三星电子株式会社 集成电路装置和包括该集成电路装置的电子系统
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