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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2022-10-21
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118160075A
主分类号：H01L21/306
分类号：H01L21/306;H01L21/304
优先权：["20211104 JP 2021-180411"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明的基片处理方法包括：使用能够水平地并且以可旋转的方式保持基片的保持部来保持所述基片的步骤；之后，对所保持的所述基片进行加热的步骤；之后，在从配置在预先确定的处理位置的第一喷嘴向旋转的所述基片的周缘部释放第一处理液之前，调节所述周缘部的温度，使所述基片的面内温度分布近似于从配置在所述处理位置的所述第一喷嘴向旋转的所述基片的所述周缘部释放所述第一处理液的期间的面内温度分布的步骤；和之后，从配置在所述处理位置的所述第一喷嘴向旋转的所述基片的所述周缘部释放所述第一处理液的步骤。
主权项：1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：使用能够水平地并且以可旋转的方式保持基片的保持部来保持所述基片的步骤；之后，对所保持的所述基片进行加热的步骤；之后，在从配置在预先确定的处理位置的第一喷嘴向旋转的所述基片的周缘部释放第一处理液之前，调节所述周缘部的温度，使所述基片的面内温度分布近似于从配置在所述处理位置的所述第一喷嘴向旋转的所述基片的所述周缘部释放所述第一处理液的期间的面内温度分布的近似步骤；和之后，从配置在所述处理位置的所述第一喷嘴向旋转的所述基片的所述周缘部释放所述第一处理液的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理方法和基片处理装置
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