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申请/专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日：2024-05-13
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156389A
主分类号：H01L33/40
分类号：H01L33/40;H01L33/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明提供一种白光LED外延片、外延生长方法及LED芯片，通过设置衬底，以及依次生长在所述衬底上的缓冲层、非掺杂层、N型层、多量子阱层、P型层和光子晶体结构的欧姆接触层；其中，所述欧姆接触层包括SiCSiO2复合层和ITO层，SiCSiO2复合层为超晶格结构，SiCSiO2复合层的起始层为SiO2，终止层为SiC，循环数大于2，SiCSiO2复合层的厚度为90nm~270nm，具体的，设计采用在LED外延表面覆盖光子晶体薄膜，使得出射光源蓝光尽可能透过，荧光粉中产生的向下的黄光不能通过，尽可能的反射上去，从而提高出光效率。
主权项：1.一种白光LED外延片，其特征在于，包括衬底，以及依次生长在所述衬底上的缓冲层、非掺杂层、N型层、多量子阱层、P型层和光子晶体结构的欧姆接触层；其中，所述欧姆接触层包括SiCSiO2复合层和ITO层，SiCSiO2复合层为超晶格结构，SiCSiO2复合层的起始层为SiO2，终止层为SiC，循环数大于2，SiCSiO2复合层的厚度为90nm~270nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西乾照光电有限公司 一种白光LED外延片、外延生长方法及LED芯片
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