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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2020-02-06
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN111540694B
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;H01L21/02
优先权：["20190206 JP 2019-019920"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.11.23#实质审查的生效;2020.08.14#公开
摘要：本发明提供一种抑制在利用超临界状态的处理流体进行干燥时晶圆上的图案倒塌的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置具备：超临界流体制造装置，其具有送出处理流体的泵；处理容器，其使用来自超临界流体制造装置的超临界状态的处理流体来对基板进行超临界流体处理；以及控制部，其至少用于控制超临界流体制造装置。控制部在使用处理流体使处理容器内升压时，基于进行升压的目标时间、升压所需的处理流体的量、以及处理流体的密度来决定向处理容器供给处理流体的第一供给速度。超临界流体制造装置基于第一供给速度来向处理容器供给处理流体。
主权项：1.一种基板处理装置，具备：超临界流体制造装置，其具有送出处理流体的泵；处理容器，其使用来自所述超临界流体制造装置的超临界状态的处理流体来对基板进行超临界流体处理；以及控制部，其至少用于控制所述超临界流体制造装置，其中，所述控制部在使用所述处理流体使所述处理容器内升压时，基于进行所述升压的目标时间、所述升压所需的所述处理流体的量以及所述处理流体的密度来决定向所述处理容器供给所述处理流体的第一供给速度，所述超临界流体制造装置基于所述第一供给速度来向所述处理容器供给所述处理流体，所述控制部在使所述处理流体在所述处理容器内流通时，基于使所述处理流体在所述处理容器内流通的时间、所述流通所需的所述处理流体的量、以及所述泵的入口处的所述处理流体的密度来决定向所述处理容器供给所述处理流体的第二供给速度，所述超临界流体制造装置基于所述第二供给速度来向所述处理容器供给所述处理流体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
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