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采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程MOL制造的集成电路IC及相关方法 

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申请/专利权人:高通股份有限公司

摘要:本公开涉及采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程MOL制造的集成电路IC及相关方法。公开了采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程MOL制造的集成电路IC。还公开了相关的方法。具体而言,金属层中的不同金属线可能需要在IC的MOL工艺期间被电互连。为了允许金属线被电互连而无需在金属线上方提供可能难以在例如印刷工艺中提供的此类互连,在一示例性方面中,延长或展开的通孔被提供在IC中的MOL层中。延长通孔被提供在MOL层中在该MOL层中的金属层下方并跨该MOL层的金属层中的两个或更多个毗邻金属层延伸。将互连移动到MOL层上方可简化IC的制造,特别是在低纳米nm节点尺寸下。

主权项:1.一种集成电路IC,包括:包括有源元件的基板,其中所述有源元件中的至少一个包括栅极;置于所述基板上方的中段制程MOL层;置于所述MOL层上方的金属互连层,所述金属互连层包括导电元件,其中所述导电元件垂直于所述栅极;以及置于所述MOL层内的延长通孔,其中所述延长通孔平行于所述栅极延伸,其中所述延长通孔在所述MOL层中被延长以使得所述延长通孔能够跨越在所述导电元件中的至少两个导电元件之间以提供所述至少两个导电元件之间的互连。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 高通股份有限公司 采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程MOL制造的集成电路IC及相关方法

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