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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2021-03-22
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN115116962B
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2022.10.18#实质审查的生效;2022.09.27#公开
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，旨在解决位线制备过程中，位线结构受损的问题。该半导体结构的制备方法包括于衬底的第一沟槽内形成第一导电层，第一导电层的顶表面为凹陷状。于第一导电层上形成位线结构。形成第三介质层和第四介质层，第四介质层至少覆盖第二沟槽的底部及侧壁。去除覆盖第二沟槽的底部的第四介质层及部分第一介质层，以形成第三沟槽，第三沟槽暴露衬底。该半导体结构采用上述的制备方法制备。本发明能够有效避免位线形成过程中出现的位线表面结构受损，位线倾斜或坍塌的问题，提高了位线结构和信号传输的稳定性，优化该半导体结构的存储性能。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区和隔离区；于所述衬底上依次形成第一介质层和第二介质层；去除部分所述第一介质层和部分所述第二介质层，以形成第一沟槽；于所述第一沟槽内形成第一导电层，所述第一导电层的顶表面为凹陷状；于所述第一导电层上形成位线结构，所述位线结构覆盖所述第一导电层的表面，且所述位线结构的顶表面低于所述第一介质层的顶表面；形成第三介质层，所述第三介质层填充满所述第一沟槽，且所述第三介质层的顶表面与所述第二介质层的顶表面齐平；去除所述第二介质层，形成第二沟槽；形成第四介质层，所述第四介质层至少覆盖所述第二沟槽的底部及侧壁；去除覆盖所述第二沟槽的底部的所述第四介质层及部分所述第一介质层，以形成第三沟槽，所述第三沟槽暴露所述衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法和半导体结构
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