申请/专利权人：成都新欣神风电子科技有限公司

申请日：2024-03-04

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN117833187B

主分类号：H02H9/04

分类号：H02H9/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开一种浪涌电压抑制电路，涉及电子电路技术领域，包括MOS管Q1和Q2、电容、电阻、控制芯片U1、比较器U2以及双向TVS二极管TVS1，还可以包括基准稳压源Vref；其中MOS管Q2的安全工作区宽度和导通电阻均小于MOS管Q1的安全工作区宽度和导通电阻。本发明通过将两颗MOS管并联使用，一颗是安全工作区较宽的MOS管Q1，用以吸收过压浪涌能量；另一颗是安全工作区不宽但其导通电阻极小的MOS管Q2，用以正常电压工作时以极低的功率损耗为后级负载供电。本发明通过简单的采样及逻辑控制即可降低正常工作时的功率损耗，且不影响过压浪涌抑制的效果，提高了过压浪涌抑制的可靠性，尤其适用于大电流应用场景。

主权项：1.一种浪涌电压抑制电路，其特征在于，包括：MOS管Q1、MOS管Q2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、控制芯片U1、比较器U2、双向TVS二极管TVS1、电阻R4、电阻R5、电容C4以及电容C6；所述MOS管Q1的安全工作区宽度大于所述MOS管Q2的安全工作区宽度；所述MOS管Q2的导通电阻小于所述MOS管Q1的导通电阻；所述MOS管Q1的漏极、所述MOS管Q2的漏极、所述电容C1的一端、所述电阻R2的一端以及所述比较器U2的负向输入端均连接输入正线Vin+；所述MOS管Q2的栅极连接所述电阻R1的一端；所述电阻R1的另一端连接所述比较器U2的输出端；所述控制芯片U1的OUT脚、所述MOS管Q1的源极、所述MOS管Q2的源极、所述电阻R4的一端以及所述电容C4的一端均连接输出正线Vout+；所述MOS管Q1的栅极连接所述电阻R3的一端；所述控制芯片U1的GATE脚分别连接所述电阻R3的另一端以及所述比较器U2的正向输入端；所述控制芯片U1的FB脚分别连接所述电阻R4的另一端以及所述电阻R5的一端；所述电阻R2的另一端以及所述控制芯片U1的SNS脚、VCC脚和脚均连接所述双向TVS二极管TVS1的一端；所述控制芯片U1的TMR脚连接所述电容C6的一端；所述电容C1的另一端、所述双向TVS二极管TVS1的另一端、所述电容C6的另一端、所述电阻R5的另一端以及所述电容C4的另一端均连接输入负线Vin-和输出负线Vout-。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都新欣神风电子科技有限公司 一种浪涌电压抑制电路

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