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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日：2024-04-12
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118039754B
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L21/027;H01L33/20
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：本发明提供一种倒装mini发光二极管芯片的制备方法，包括提供一生长所需的衬底，然后在衬底上依次外延生长N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层，在P型半导体层表面涂布光刻胶，利用一光罩对光刻胶进行曝光，在光罩四角设有遮光部，遮光部由多组区域组成，区域包括不透光区间与透光区间，在同一区域内的不透光区间的宽度大于透光区间，且不透光区间以及透光区间的宽度朝向光罩的中心依次递减，以使透光区间在曝光过程中发生衍射，进而使得光刻胶的曝光深度从四角位置朝向中心位置逐渐减小，以使隔离槽的斜度与平面区域斜度是一致的，进而避免隔离槽四角凸起，导致倒装mini发光二极管芯片在高湿环境下快速失效或损坏。
主权项：1.一种倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤一，提供一生长所需的衬底，然后在所述衬底上利用MOCVD工艺依次在所述衬底上外延生长N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层；步骤二，在所述P型半导体层表面涂布正性光刻胶，利用一光罩对所述正性光刻胶进行曝光，在所述光罩四角设有遮光部，所述遮光部由多组区域排列组成，所述区域包括不透光区间与透光区间，在同一所述区域内不透光区间的宽度大于透光区间的宽度，且所述不透光区间以及所述透光区间的宽度朝向所述光罩的中心依次递减，以使所述透光区间在曝光过程中发生衍射，进而使得所述正性光刻胶的曝光深度从四角位置朝向中心位置逐渐减小；步骤三，在所述P型半导体层表面显影后去除掉曝光过的所述正性光刻胶，以暴露出第一部分P型半导体层，利用加热盘对除胶后剩余的所述正性光刻胶进行烘烤，再通过刻蚀得到隔离槽，最后去除剩余的所述正性光刻胶；步骤四，在所述隔离槽以及所述P型半导体层的表面利用磁控溅射工艺沉积氧化铟锡；步骤五，在所述氧化铟锡表面依次涂胶、曝光、显影以及去胶，以暴露出部分氧化铟锡，然后通过湿法腐蚀、刻蚀以及去胶后，得到N型半导体层的导电台阶以及电流扩展层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种倒装mini发光二极管芯片的制备方法
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