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申请/专利权人：昆明物理研究所
申请日：2024-03-01
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173465A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L27/146
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：本发明公开一种确定长波碲镉汞器件倒装互连压强阈值的方法，包括：把材料切割成大小相同的实验片，在不同压力下与读出电路进行倒装互连，焊接完成后利用超声分开，然后利用Chen腐蚀液对材料进行腐蚀，观察位错腐蚀坑，测量每个实验片的EPD位错腐蚀坑密度，通过EPD的数值变化来确定长波碲镉汞器件倒装互连压强阈值。本发明可以直观、准确地确定倒装互连压强阈值，从而更加合理地设置倒装互连的压力大小，减少由互连压力引起的缺陷增殖等问题，并且利用压强来说明互连压力对材料的影响，就不会受到芯片尺寸的影响，更加具有普适性。
主权项：1.一种确定长波碲镉汞器件倒装互连压强阈值的方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤1，在长波碲镉汞材料实验片正面镀一层ZnS；步骤2，对完成步骤1之后的实验片进行涂胶保护，然后制作多片大小一样实验片；步骤3，取其中一片作为空白组，其余为对照组并与读出电路进行倒装互连，互连压力递增设置；步骤4，把和读出电路进行互连的实验片利用超声与读出电路进行分离，取出实验片吹干；步骤5，利用Chen腐蚀液对完成步骤4的实验片进行腐蚀，把ZnS腐蚀干净，并且腐蚀一部分碲镉汞，漏出由缺陷导致的位错腐蚀坑；步骤6，对完成步骤5的实验片进行腐蚀坑密度EPD测量，将其中的一个实验片平均分成多个区域分别统计，最后由所有区域数据得到该实验片腐蚀坑密度的范围，记录所有实验片的数据；步骤7，统计步骤6得到的数据，由压力和面积转化得到各个实验片的压强，将不同压强下实验片的腐蚀坑密度EPD和空白组进行对比；步骤8，按照压强由小到大的顺序将实验片的腐蚀坑密度和空白组进行比较，发现当超过某个压强后，腐蚀坑密度出现了数量级级别的增加，则认为该实验片对应的压强为该种材料的倒装互连压强阈值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明物理研究所 一种确定长波碲镉汞器件倒装互连压强阈值的方法
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